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  • <em>硅</em>、鍺切割<em>片</em>的損傷層研究.pdf57

    <em>硅</em>、鍺切割<em>片</em>的損傷層研究.pdf 、鍺切割的損傷層研究.pdf(57頁)

    半導體硅、鍺是制造集成電路IC芯片和半導體器件的基礎材料,隨著IC工藝的不斷發(fā)展,單晶片的尺寸越做越大。目前,IC技術已邁入納米電子時代,對半導體硅、鍺單晶片的加工質量的要求越來越高。切割加工是晶片加工過程中的重要環(huán)節(jié),切割過程造成的表面損傷,直接決定...

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  • 87年9月1日制定 - 中鴻<em>鋼</em>鐵15

    87年9月1日制定 - 中鴻<em>鋼</em>鐵 87年9月1日制定 - 中鴻(15頁)

    中鴻鋼鐵股份有限公司第151頁87年9月1日制定編碼CHSAA30596年10月26日修訂內控自行評估作業(yè)辦法內控自行評估作業(yè)辦法96年10月26日實施目的依據制定、修訂管理者評估流程評估內容評估單位分項評估工作底稿整體評估1總則11為使本公司之內控自行評估作業(yè)能有所遵循。12...

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  • <em>硅</em>基在<em>片</em>電感射頻模型的研究.pdf75

    <em>硅</em>基在<em>片</em>電感射頻模型的研究.pdf 基在電感射頻模型的研究.pdf(75頁)

    無源器件尤其是電感是射頻集成電路中至關重要的器件。先進的射頻CMOS工藝已經能在片集成無源器件。在片無源器件能有效減小封裝寄生參數,提高電路穩(wěn)定性和性能,因此其應用已經成為一種趨勢。但是在片無源器件仍然面臨著嚴重的挑戰(zhàn),一方面射頻電路對在片無源器件的...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 聲聲楚歌殘 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 4人氣

  • 8英寸薄層<em>硅</em>外延<em>片</em>工藝設計與實現(xiàn).pdf86

    8英寸薄層<em>硅</em>外延<em>片</em>工藝設計與實現(xiàn).pdf 8英寸薄層外延工藝設計與實現(xiàn).pdf(86頁)

    硅外延片材料是當代大規(guī)模集成電路和其他半導體硅器件的基礎功能材料,直接支撐了電子信息技術產業(yè)的發(fā)展。其中,薄層硅外延在半導體器件中承載了重要的電路功能,NN硅外延片主要應用在超大規(guī)模集成電路和分立器件中。目前8英寸集成電路在我國集成電路總產量中占有很...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 呻吟 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 15人氣

  • 面向<em>片</em>上光互連的<em>硅</em>基無源器件研究.pdf140

    面向<em>片</em>上光互連的<em>硅</em>基無源器件研究.pdf 面向上光互連的基無源器件研究.pdf(140頁)

    隨著話音業(yè)務的激增和各種數據、圖像新業(yè)務的涌現(xiàn),特別是FTTH和IP網絡技術的不斷發(fā)展,通信系統(tǒng)的信息容量與處理速度呈現(xiàn)爆炸性增長態(tài)勢。而基于金屬傳導的電互連技術面臨嚴重的熱耗散與不可逾越的電子瓶頸,已越來越不適應信息存儲、信息傳輸、信息處理的高速率高...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 安且 / 發(fā)布時間:2024-03-08 / 3人氣

  • u型輕<em>鋼</em>龍骨紙面石膏板吊頂做法3

    u型輕<em>鋼</em>龍骨紙面石膏板吊頂做法 u型輕龍骨紙面石膏板吊頂做法(3頁)

    U型輕鋼龍骨紙面石膏板吊頂做法一、構造做法及材料1、構造做法吊頂龍骨有兩種構造,中、小龍骨緊貼大龍骨,底面吊掛(即不在同一水平面)稱雙層構造;大、中龍骨底面在同一水平上,或不設大龍骨直接掛中龍骨稱單層構造。後者僅用於輕型吊頂。2、材料(1)紙面石膏板...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間:2024-03-14 / 39人氣

  • 利用摻鍺的重摻硼<em>硅</em>襯底生長無失配位錯的pp39;<em>硅</em>外延<em>片</em>81

    利用摻鍺的重摻硼<em>硅</em>襯底生長無失配位錯的pp39;<em>硅</em>外延<em>片</em> 利用摻鍺的重摻硼襯底生長無失配位錯的pp39;外延(81頁)

    浙江大學碩士學位論文利用摻鍺的重摻硼硅襯底生長無失配位錯的P/P硅外延片姓名江慧華申請學位級別碩士專業(yè)材料物理與化學指導教師闕端麟楊德仁20050501碩士學位論文研究表明,鍺的摻入可以抑制硼的外擴散,這可能是由于鍺和硼形成了GE.B對,從而阻礙硼的外擴散。因...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 翻譯員 / 發(fā)布時間:2024-03-13 / 8人氣

  • [學習]多晶<em>硅</em>原生<em>硅</em>料的鑄錠與電池<em>片</em>的性能參數講解23
  • P型<em>硅</em>外延<em>片</em>工藝技術的研究.pdf47
  • 面向暗<em>硅</em>的<em>片</em>上網絡架構與映射方法研究.pdf83

    面向暗<em>硅</em>的<em>片</em>上網絡架構與映射方法研究.pdf 面向暗上網絡架構與映射方法研究.pdf(83頁)

    最新集成電路設計發(fā)展中出現(xiàn)了暗硅問題,即為了維持多核系統(tǒng)性能而不超過散熱設計功耗,部分核需要處于關閉狀態(tài)或者不能持續(xù)長的運行周期,如此為多核系統(tǒng)的通信架構片上網絡(WKONCHIPNOC)設計提出了新的挑戰(zhàn)。論文針對面向暗硅問題的片上網絡架構和映射方法展開研...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: Meizu / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 8人氣

  • <em>硅</em>外延<em>片</em>生產工藝技術研究.pdf36
  • <em>硅</em>晶圓<em>片</em>項目可行性研究報告模板75

    <em>硅</em>晶圓<em>片</em>項目可行性研究報告模板 晶圓項目可行性研究報告模板(75頁)

    硅晶圓片生產線建設項目硅晶圓片生產線建設項目可行性研究報告可行性研究報告中咨國聯(lián)|出品二〇二一二〇二一年九月二〇二一二〇二一年九月第2頁第四章第四章項目建設條件項目建設條件181841地理位置選擇地理位置選擇181842區(qū)域投資環(huán)境區(qū)域投資環(huán)境1818421區(qū)域概況1...

    下載價格:9 賞幣 / 發(fā)布人: 兩難 / 發(fā)布時間:2024-03-16 / 0人氣

  • 高平坦度要求<em>硅</em>拋光<em>片</em>加工工藝研究.pdf49

    高平坦度要求<em>硅</em>拋光<em>片</em>加工工藝研究.pdf 高平坦度要求拋光加工工藝研究.pdf(49頁)

    集成電路的發(fā)展趨勢是體積越來越小、速度越來越快、電路規(guī)模越來越大、功能越來越強、襯底硅片尺寸越來越大。盡管如此,150MM及以下小直徑硅片到目前為止依然大量被用于POWERDEVICE、MOSFET、小型集成電路等器件的生產中,短時間內還不會退出市場,但是器件廠商對于...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 不感興趣 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 5人氣

  • <em>硅</em>基射頻集成電路<em>片</em>上無源元件的設計與建模.pdf112

    <em>硅</em>基射頻集成電路<em>片</em>上無源元件的設計與建模.pdf 基射頻集成電路上無源元件的設計與建模.pdf(112頁)

    隨著無線通信、衛(wèi)星導航、射頻識別、移動電視等射頻微波應用系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,小型化、高性能、低成本和低功耗消費類應用電子設備的市場需求激發(fā)了人們對于單芯片系統(tǒng)SOCSYSTEMONACHIP的極大興趣。硅基CMOS工藝因具有低成本、低功耗及高集成度等特點成為實現(xiàn)SOC的首選...

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  • <em>硅</em>基集成螺旋電感的研究及<em>片</em>上天線的設計和優(yōu)化.pdf64

    <em>硅</em>基集成螺旋電感的研究及<em>片</em>上天線的設計和優(yōu)化.pdf 基集成螺旋電感的研究及上天線的設計和優(yōu)化.pdf(64頁)

    這篇論文主要分為兩個部分一是硅基集成螺旋電感的建模分析和優(yōu)化二是片上天線的設計和優(yōu)化在第一部分中我們首先比較了硅基集成螺旋電感的三種建模和仿真方法并且具體分析了硅基集成螺旋電感的各種損耗因素及它們螺旋電感性能的影響在此基礎上我們思考和總結了多種提...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 靠近 / 發(fā)布時間:2024-03-11 / 6人氣

  • 黑<em>硅</em>電池<em>片</em>上液相沉積法制備SiO2薄膜的研究.pdf56

    黑<em>硅</em>電池<em>片</em>上液相沉積法制備SiO2薄膜的研究.pdf電池上液相沉積法制備SiO2薄膜的研究.pdf(56頁)

    黑硅因其獨特的納米結構,具有很寬的光譜吸收范圍,極低的反射率,以及一些其他優(yōu)良的特性,一經發(fā)現(xiàn)就獲得了科學家們的廣泛關注,在硅太陽能電池領域有著很大的應用潛力。但黑硅由于表面積的增大以及制備過程中引入的缺陷,具有較高的表面復合速率和較低的少數載流...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 臉紅 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 9人氣

  • 基于<em>硅</em>技術的太赫茲<em>片</em>上天線與系統(tǒng)的研究.pdf132
  • 晶體<em>硅</em>太陽能電池<em>片</em>自動焊接關鍵技術的研究.pdf66

    晶體<em>硅</em>太陽能電池<em>片</em>自動焊接關鍵技術的研究.pdf 晶體太陽能電池自動焊接關鍵技術的研究.pdf(66頁)

    隨著社會的發(fā)展作為人類社會運行和發(fā)展的基礎物質條件能源在近一百多年內的消耗有目共睹。短時期內不可再生的傳統(tǒng)化石能源儲量的有限性與人類社會發(fā)展日益增長的能源需求之間的矛盾日亟激化。因此為了人類社會能夠實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的目標就必須加大對可再生能源的開發(fā)...

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  • 薄<em>硅</em>外延<em>片</em>的生長及高頻肖特基二極管的研制.pdf67

    薄<em>硅</em>外延<em>片</em>的生長及高頻肖特基二極管的研制.pdf外延的生長及高頻肖特基二極管的研制.pdf(67頁)

    肖特基勢壘二極管是利用金屬半導體的整流接觸特性而制成的二極管與PN結相比它是一種多子器件具有正向導通電壓低使用頻率高等特點這使得肖特基二極管在微波領域有著廣泛的應用該文的主要工作如下1首先從理論上分析出高頻肖特基二極管對材料的外延層厚度摻雜濃度的要求...

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  • 高溫退火對直拉<em>硅</em>拋光<em>片</em>表面質量及氧沉淀的影響.pdf82

    高溫退火對直拉<em>硅</em>拋光<em>片</em>表面質量及氧沉淀的影響.pdf 高溫退火對直拉拋光表面質量及氧沉淀的影響.pdf(82頁)

    直拉硅拋光片的表面質量和氧沉淀對集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產還是在集成電路制造中,硅片都要經過高溫退火。因此,高溫退火對硅片表面質量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。本文研究了200MM直拉硅拋光片經高溫退火后的表面狀態(tài)以及氧沉淀,取得了如下...

    下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 裙裼 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣

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