硅的化學(xué)刻蝕及其在光伏中的應(yīng)用.pdf

1、硅納米線(xiàn)因其獨(dú)特的光學(xué),電學(xué)和熱力學(xué)等性能而在光電器件,傳感器等方面具有廣闊的應(yīng)用前景。本文利用金屬輔助催化刻蝕方法制備了大面積的硅納米線(xiàn)陣列,并將其應(yīng)用到有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)電池中。本研究主要內(nèi)容包括：
　?、沤饘偻嘶鸾Y(jié)合濕法化學(xué)刻蝕制備硅納米線(xiàn)和納米孔。經(jīng)過(guò)熱動(dòng)力學(xué)分析,確定了薄膜沉積厚度和退火溫度對(duì)形貌的決定性影響?？涛g后銀球在硅基底上可以得到硅納米孔,帶孔的銀薄膜在硅基底上可以得到硅納米線(xiàn)。
　　⑵使用納米球模板結(jié)合金

2、屬催化刻蝕的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)硅線(xiàn)參數(shù)的精確控制。通過(guò)聚苯乙烯納米球作為媒介,得到了帶有規(guī)則孔徑的金薄膜作為刻蝕硅納米線(xiàn)的模板,小孔的直徑?jīng)Q定了刻蝕得到的硅納米線(xiàn)的直徑,刻蝕的時(shí)間則決定了納米線(xiàn)的長(zhǎng)度,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)制備硅線(xiàn)的精確控制。光學(xué)測(cè)試發(fā)現(xiàn),直徑,長(zhǎng)度和周期共同決定了硅納米線(xiàn)陣列的減反性能。
　　⑶制備硅-PEDOT:PSS雜化光伏器件,用四甲基氫氧化銨(TMAH)和甲基化處理硅線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比,發(fā)現(xiàn)甲基化的器件暗電流低于TMAH處理的器件