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文檔簡介
1、化學機械拋光(chemical mechanical polishing,CMP)是高精密光學器件和超大規(guī)模集成電路制造技術中最為有效的平坦化技術之一。隨著高精尖技術的發(fā)展,對工件表面精度的要求越來越來高,對拋光材料顆粒大小和形貌也提出了更高的要求。本研究采用不同方法合成了不同粒徑大小和形貌的亞微米氧化鈰,并評價了它們拋光K9玻璃的材料去除速率(MRR)和表面質量(Ra),探討了拋光效果與氧化鈰的粒度分布、表面電位、懸浮穩(wěn)定性的關系。<
2、br> 利用XRD、SEM、TEM、激光粒度分析儀、Zeta電位儀等手段對以Ce(NO3)3.6H2O和PVP為原料,在不同水熱條件下合成的前驅體進行了物相結構、表面形貌、粒度分布和顆粒表面電位的表征。研究了煅燒溫度和氣氛、分散劑等因素對氧化鈰拋光粉粒度大小及其對K9玻璃拋光性能的影響。結果表明:通過調節(jié)合成pH值和水熱合成溫度與時間,可以方便地制備出不同粒徑大小和形貌的氧化鈰。在pH=5時180℃下水熱合成24h,得到一次粒徑8nm
3、,團聚顆粒0.3μm的具有立方螢石結構的球形氧化鈰。隨著煅燒溫度的提高,產物的結晶度提高,但拋光效果隨煅燒溫度的變化曲線在1050℃時最好。
以堿式碳酸鈰為原料,采用鹽輔助的機械化學反應法,制備出了亞微米級氧化鈰。煅燒后的樣品在乙醇中球磨分散后可以得到粒度分布均勻,無團聚,顆粒形貌較好亞微米氧化鈰顆粒,一次粒徑為100nm左右。它們對K9玻璃的拋光實驗結果表明:隨著煅燒溫度的提高,材料去除速率都是先增加而后再下降,最佳煅燒溫度
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