存儲(chǔ)器測(cè)試算法研究及應(yīng)用實(shí)現(xiàn).pdf

1、隨著深亞微米等高科技技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)器在SoC以及所有集成電路產(chǎn)品中所占的地位變得越來(lái)越重要。存儲(chǔ)器芯片的容量變得越來(lái)越大，集成度也越來(lái)越高，使得存儲(chǔ)器內(nèi)部的晶體管以及其他部件越來(lái)越密集。正是由于存儲(chǔ)器的高布線(xiàn)的密度、高復(fù)雜度和高工作頻率這些因素，使得存儲(chǔ)器芯片更容易發(fā)生各種各樣的物理故障或者缺陷。存儲(chǔ)器其結(jié)構(gòu)的特殊性決定了該類(lèi)芯片不能采用傳統(tǒng)的直接物理檢測(cè)。比較可行的辦法就是對(duì)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)進(jìn)行不斷的讀寫(xiě)，然后與正確的存儲(chǔ)單元的狀態(tài)進(jìn)

2、行對(duì)比和比較，這樣做就可以使得故障的物理表現(xiàn)形式轉(zhuǎn)化為邏輯顯示的形式。面對(duì)越來(lái)越多的測(cè)試需求，開(kāi)發(fā)出高效的測(cè)試算法成為當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。
　　本文分析了存儲(chǔ)器中常見(jiàn)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)故障的故障原理，并給出了測(cè)試每種故障的March元素；對(duì)于目前最為流行的幾種經(jīng)典March算法，本文著重分析了能夠覆蓋所有簡(jiǎn)單靜態(tài)故障的March SS算法的測(cè)試原理；有了以上兩點(diǎn)作為理論基礎(chǔ)，同時(shí)考慮到目前還沒(méi)有任何一種算法能夠覆蓋所有的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)故障，本文

3、改進(jìn)March SS算法，得到了可以覆蓋所有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)故障的March SD算法。該算法故障覆蓋率高，測(cè)試復(fù)雜度較低，對(duì)進(jìn)一步提高芯片的良品率，降低芯片測(cè)試時(shí)間和成本有著十分重要的意義。
　　為了驗(yàn)證March SD算法的測(cè)試性能和效率，本文還給出了存儲(chǔ)器測(cè)試儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，該測(cè)試儀可以適用于所有March算法的測(cè)試。整體架構(gòu)采用目前較為流行的虛擬儀器設(shè)計(jì)技術(shù)，底層采用FPGA邏輯電路來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)存儲(chǔ)器芯片的矢量施加和結(jié)果返回，上位機(jī)