SnX2(X=S,Se)三元合金和其納米薄層光學性質的第一性原理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著經濟的發(fā)展，人們對能源的依賴性越來越強，同時由于傳統(tǒng)能源的消耗對環(huán)境造成的污染，人類必須不斷的尋找著新能源。太陽能具有環(huán)?？稍偕奶匦?，這也就讓我們對太陽能電池這個領域的研究更加充滿了興趣。半導體的光學性質是其基本物理性質的一個重要方面，同時也是與太陽能電池吸收器的一個重要物理性質。
　　在本篇論文中首先利用密度泛函理論計算對SnSe2(1-x)O2x合金的能帶結構和光學性質提出理論預測。結果表明，當氧濃度增加(x≤0.125

2、)時SnSe2(1-x)O2x合金的帶隙從1.03eV下降到0.772eV，并且沒有帶隙態(tài)。對于所有摻雜情況介電函數和光吸收都是各向異性的。氧替代硒后對SnSe2(1-x)O2x合金(x≤0.125)在x-y平面方向的光學性質影響明顯。此外，合金SnSe2(1-x)O2x的形成焓計算表明氧摻雜SnSe2是可以實現的。這些結果很有趣，表明SnSe2(1-x)O2x合金的帶隙具有可調節(jié)性，是一種在近紅外光學應用方面很有前景的材料。
　

3、　然后又對Sn1-xTixS2三元合金的電子結構和光學性質進行了研究。三元合金Sn1-xTixS2的帶隙值隨著鈦濃度x的增加(0＜x≤0.25)從1.926eV減少到1.27eV，導致在可見光范圍內的光吸收明顯的增加。而隨著鈦濃度x增加時三元合金Sn1-xTixS2靜態(tài)介電常數值也在增加。這些結果都表明Sn1-xTixS2三元合金具有可調帶隙，可以作為一種很有前景的可見光吸收器的候選材料。
　　最后，我們依據雜化密度泛函理論，研究

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