相變存儲(chǔ)單元多值存儲(chǔ)的仿真研究.pdf

1、隨著智能移動(dòng)終端的崛起,消費(fèi)市場(chǎng)需要集成度高、速度快、容量大的存儲(chǔ)芯片。以Flash為代表的傳統(tǒng)固態(tài)存儲(chǔ)芯片逐漸面對(duì)微縮工藝降低可靠性等方面的問(wèn)題。因此,新型存儲(chǔ)器日益成為研發(fā)焦點(diǎn),其中相變隨機(jī)存儲(chǔ)器以其讀寫速度快、讀寫次數(shù)高、微縮特性好、數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)而成為下一代主流存儲(chǔ)器技術(shù)之一。
　　本文主要研究相變隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的多值存儲(chǔ)機(jī)理,研究了多值存儲(chǔ)過(guò)程中器件物理性質(zhì)及相變過(guò)程,并對(duì)其進(jìn)行量化及仿真計(jì)算。根據(jù)有限元法,仿

2、真系統(tǒng)將主方程與材料參數(shù)結(jié)合,建立仿真模型,編制了仿真計(jì)算程序?；诜?、脈寬以及連續(xù)脈沖的電脈沖控制存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)單元總電阻判斷存儲(chǔ)效果的研究思路,對(duì)單個(gè)存儲(chǔ)單元的多值存儲(chǔ)控制方法、多值存儲(chǔ)過(guò)程、制程變差的影響以及數(shù)據(jù)保存時(shí)間方面進(jìn)行了較全面的多值分析,研究了單元內(nèi)部相變層相態(tài)分布及溫度變化趨勢(shì),制程變差影響與相變材料自發(fā)晶化影響下的多值存儲(chǔ)狀態(tài)穩(wěn)定性。
　　仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,相變存儲(chǔ)單元可通過(guò)單電脈沖控制幅值、脈寬的方式或連續(xù)