瞬態(tài)增強的無電容型LDO設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、華中科技大學(xué)博士學(xué)位論文瞬態(tài)增強的無電容型LDO設(shè)計姓名：鄒志革申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：鄒雪城20070521II響應(yīng)特性，作為對比，重點研究了無電容型LDO的瞬態(tài)特性，分析了所有影響瞬態(tài)特性的因素。針對影響瞬態(tài)特性的重要因素，提出了一種基于簡單電壓比較的無電容型LDO的瞬態(tài)增強方法。該方法基于基本運算放大器、基本反向器、推挽輸出級，在LDO負載瞬態(tài)變化時，能為調(diào)整管柵極提供額外的驅(qū)動電流，有效提高無電容型

2、LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度?；谏鲜鲅芯?，本論文設(shè)計了一款基于HHNEC0.25m標準CMOS工藝的瞬態(tài)增強無電容型LDO電路，應(yīng)用在無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點基帶SoC芯片中。給出了詳細的設(shè)計流程，包括芯片規(guī)格定義、模塊劃分和指標推導(dǎo)及確定、混合模型驗證各模塊指標、晶體管級電路設(shè)計、仿真和驗證。該LDO電路的工作電壓為2.0V～3.3V，在提供100mA負載電流的情況下電壓差僅為50mV，負載瞬態(tài)變化時的最大輸出電壓過沖量為90mV，由于電源電壓變

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