600V高壓VDMOS器件導通電阻仿真優(yōu)化設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、垂直導電雙擴散場效應晶體管(VDMOS)器件具有高的輸入阻抗、高的開關速度、寬的安全工作區(qū)以及很好的熱穩(wěn)定性等特點,廣泛應用于汽車電子、移動通信、雷達、馬達驅(qū)動、開關電源、節(jié)能燈等各種領域。本文的主要工作為自行設計一套適用于耐壓600V應用環(huán)境的高壓大功率VDMOS器件,具有較小功率管導通電阻,并將設計的重心放在降低功率VDMOS的導通電阻和增加其電流能力上,并做優(yōu)化設計。本文的主要研究內(nèi)容如下。1.深入學習VDMOS的工作原理和物理機

2、理,研究VDMOS導通電阻的構(gòu)成及其與器件參數(shù)之間的關系,并通過計算機工藝模擬仿真,研究導通電阻與工藝條件和工藝參數(shù)之間的定量關系。在高壓VDMOS中(＞500V),導通電阻主要由高阻外延層的電阻值決定,并且與實際工藝條件有很大的關系。并在此基礎上,從半導體器件物理出發(fā),建立了導通電阻的物理解析模型,以此模型為指導,結(jié)合設計指標要求,設計并優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)參數(shù)。2.由器件的閾值電壓等參數(shù)出發(fā),初步確定了VDMOS元胞的部分結(jié)構(gòu)參數(shù);并在對

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