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文檔簡介
1、ZnO是一種優(yōu)良的直接寬帶隙半導體材料,其室溫禁帶寬度為3.37eV,激子束縛能高達60meV,廣泛應用于太陽能電池、光探測器、液晶顯示、傳感器件等方面。納米ZnO除了具備塊體材料的性質之外,還具備表面效應、小尺寸效應等性質,并且在很多方面較之塊體材料具有更優(yōu)異的性能,廣泛應用于橡膠、陶瓷、涂料等傳統(tǒng)工業(yè)以及光電器件、紫外線過濾器、防曬霜、光催化、光降解等方面。
本文采用一種簡單的低溫水熱法,采用ZnCl2溶液和濃氨水(25%
2、),在不同的襯底上合成了不同形貌的ZnO納米結構。同時將合成的ZnO納米棒應用于電致變色器件和氣體傳感器件,并對器件的制備和性能做了深入地討論。論文的主要內容有以下幾個方面:
1.通過對溶液濃度、反應時間、襯底、反應溫度、溶液pH等實驗條件的調節(jié),備出了不同形貌的ZnO納米結構,如:納米線、納米棒、納米管、納米餅、納米顆粒等。
2.利用納米ZnO的優(yōu)良特性,將ZnO納米棒作為工作電極,成功制備出了電致變色器件并優(yōu)化其
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