ZnO-PS復(fù)合體系的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì).pdf

1、白光器件在照明及全彩顯示等領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用價(jià)值，引起了人們的廣泛關(guān)注。本課題根據(jù)多孔硅(PorousSi，PS)和ZnO光致發(fā)光譜的特征，擬采用多層膜發(fā)光的形式實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射。在多孔硅上沉積ZnO薄膜，詳細(xì)研究了ZnO/PS復(fù)合體系的結(jié)構(gòu)形貌及光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。 采用陽(yáng)極氧化方法，通過(guò)調(diào)節(jié)氧化電流密度和腐蝕時(shí)間，制備出不同孔隙率的多孔硅襯底，然后用脈沖激光沉積的方法生長(zhǎng)ZnO薄膜。X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)測(cè)量

2、表明，在孔隙率較大的多孔硅上生長(zhǎng)的ZnO薄膜為非晶結(jié)構(gòu)，并且ZnO薄膜的表面有許多裂縫和空洞。從樣品的截面SEM圖看到，ZnO可以進(jìn)入多孔硅孔中，這些ZnO的“釘子”增強(qiáng)了ZnO和襯底間的附著性。 多孔硅的制備電流密度、ZnO薄膜的生長(zhǎng)溫度和激發(fā)波長(zhǎng)都會(huì)影響ZnO/PS復(fù)合體系的光致發(fā)光譜。多孔硅粗糙的表面結(jié)構(gòu)雖然不利于高質(zhì)量的ZnO薄膜的生長(zhǎng)，卻能增強(qiáng)ZnO薄膜的深能級(jí)發(fā)光，復(fù)合體系在適當(dāng)波長(zhǎng)的光激發(fā)下，呈現(xiàn)白光發(fā)射。