深亞微米標準單元庫設計與優(yōu)化.pdf

1、標準單元庫作為數字電路設計的基礎，其性能的改善對整體電路性能的提高有著十分重要的作用。在深亞微米工藝下，特別是在130nm以下制程中隨著制造中效應的引入，我們不得不對在電路設計和版圖中對此加以考慮；隨著對電路功耗越來越高的要求，在數字電路設計中引入了多閾值電壓技術和電源門控(PowerGating)技術。以上這些都對標準單元庫的設計和優(yōu)化產生了重要影響。
　　 本文以中芯國際深亞微米標準單元庫為基礎，首先對標準單元庫的組成進行了

2、簡要介紹；本篇論文對標準單元庫優(yōu)化的多個領域，包括傳統(tǒng)上的多閾值電壓標準單元庫，尺寸比例優(yōu)化、P管、N管寬度比例優(yōu)化，以及對于深亞微米工藝下影響標準單元性能的如STI、WPE效應等進行了分析。對于在深亞微米時代，電路愈加復雜，電路功耗管理的要求越來越高的趨勢，本文在最后一章，重點對現今業(yè)界較為流行和新穎的Power Gating技術進行了分析，對其關鍵單元提出了優(yōu)化方法，使得在版圖面積，功耗和制造成本上給使用者更多選擇和均衡的空間。以上