氧化鋅納米晶材料的制備及其發(fā)光性質研究.pdf

1、氧化鋅(Zn0)是一種具有六方結構的Ⅱ-Ⅵ族寬帶隙半導體材料，室溫下帶隙寬度高達3.3eV。由于氧化鋅具有較高的激子束縛能(60meV)，保證了其在室溫下較強的激子發(fā)光，因而被認為是制作紫外半導體激光器的合適材料。 本文采用溶膠-凝膠技術制備了氧化鋅量子點。研究發(fā)現，氫氧化鋰/醋酸鋅的比值對膠體氧化鋅量子點的發(fā)光性質有重要影響；醋酸根基團通過使氧化鋅粒子帶負電荷并鈍化其表面，使得氧化鋅納米點的表面缺陷和可見發(fā)射中心大大減少，因此

2、醋酸根濃度的增大導致了可見發(fā)光的淬滅和發(fā)光性質的增強；氫氧根基團在中等濃度時主要起鈍化氧化鋅表面的作用，使產物的發(fā)光性質得到改善。但當濃度進一步增加時，則會產生相反的效應。富余反應物附著在生成的晶核表面，可以防止其進一步聚積，從而產生尺寸較小的量子點。 納米棒等一維材料比量子點具有更優(yōu)異的性質和更廣泛的用途。通過回流不同醋酸鋅濃度的氧化鋅晶種溶液，實現了氧化鋅晶體從點到棒的轉化。利用紫外吸收、紅外吸收、光致發(fā)光光譜以及透射電子顯