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文檔簡介
1、本文分別以碳化硅纖維和活性碳氈為吸收劑,采用熱壓法制備了碳化硅纖維(活性碳氈)/環(huán)氧樹脂電路模擬吸波材料。研究了碳化硅纖維正交排布方式下,纖維間距、添加導電碳黑和化學鍍鎳處理對碳化硅纖維/環(huán)氧樹脂復合材料吸波性能的影響;通過改變活性碳氈電路模擬結構周期單元的形狀和尺寸,研究其對活性碳氈/環(huán)氧樹脂復合材料吸波性能的影響。 研究結果表明,纖維間距對碳化硅纖維正交電路屏/環(huán)氧樹脂復合材料的吸波性能有很大的影響,隨著纖維間距的減小,材料
2、的吸波性能提高,當纖維間距為2mm的時候,可獲得有效頻帶寬達9GHz,最大吸收峰值為-19.4dB的反射衰減;纖維間距、鍍鎳增重率對化學鍍鎳SiC纖維正交電路屏/環(huán)氧樹脂復合材料的吸波性能有很大的影響,總體來看(綜合考慮有效帶寬和最大吸收峰值),隨著纖維間距或增重率的增大,材料的吸波效果先增強而后減弱。當纖維間距為8mm,增重率為283.3mg/g時,可獲得有效頻帶達4.5GHz,最大吸收峰-24.3dB的反射衰減;添加導電碳黑惡化了碳
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