基于紫外壓印的二元光學器件制備方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體技術以及微納工藝的蓬勃發(fā)展,二元光學器件把傳統(tǒng)光學帶入了微光學領域,實現(xiàn)了光、機、電、算微型儀器的高度集成,但同時也為二元光學器件的低成本、高產(chǎn)出制備工藝提出了更高的要求。二元光學器件的傳統(tǒng)制備方法需要經(jīng)過多次光刻和刻蝕工藝,加工環(huán)節(jié)多,制備效率低,并且隨著臺階數(shù)目增加,制備工藝越來越復雜。而直寫技術、灰度掩模法等工藝制備成本昂貴、效率較低,不利于技術推廣。
  本課題主要針對二元光學器件制備與復制問題,通過深入研究納米

2、壓印技術機理,結合光刻套刻技術、反應離子刻蝕技術、紫外壓印技術,提出一種高產(chǎn)出、低成本的高精度二元光學器件制備方法。主要研究內(nèi)容如下:
  首先,研究納米壓印機理,推導了壓印過程中聚合物的流變與填充原理,并以菲涅爾微透鏡為出發(fā)點,理論與實驗兩個角度同時分析壓印膠厚、壓印時間、壓印壓力、壓印溫度、曝光時間對壓印效果的影響。
  其次,使用L-edit軟件設計了菲涅爾透鏡與四臺階光柵掩膜板,在硅基底上制備了線寬為4μm、臺階深度

3、307.5nm的四臺階光柵壓印模具,并從曝光能量、顯影參數(shù)、套刻工藝等方面對光柵的占空比進行了優(yōu)化;從刻蝕功率、刻蝕壓強、氣體流量等方面優(yōu)化了臺階深度、陡直性以及光柵表面粗糙度。
  再次,結合紫外壓印技術、反應離子刻蝕技術,將菲涅爾透鏡和四臺階光柵結構分別復制到石英玻璃基底上,完成了模板圖形結構轉移,并提出了掩膜層與基底分離刻蝕的圖形轉移方法,該方法操作簡便,且可以優(yōu)化四臺階光柵壓印模板的臺階深度缺陷。
  最后還設計了所

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