強(qiáng)沖擊產(chǎn)生等離子體對(duì)邏輯芯片的干擾特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、為了研究由超高速空間碎片強(qiáng)沖擊空間飛行器護(hù)板產(chǎn)生等離子體對(duì)空間飛行器中典型的邏輯芯片模塊的毀傷特性,我們建立了朗繆爾三探針診斷系統(tǒng)和邏輯芯片測(cè)量系統(tǒng),利用上述系統(tǒng)可以診斷由7075鋁球彈丸強(qiáng)沖擊2A12鋁制靶板產(chǎn)生的等離子體的特征參量以及邏輯芯片狀態(tài)的改變。本論文選擇了航天器中廣泛采用的三種邏輯芯片分別為CD54ACT32、CD74HC4075、SN54AHCT08。利用二級(jí)輕氣炮加載系統(tǒng),在入射角度不變的情況下,只改變碰撞速度來(lái)分析彈

2、丸強(qiáng)沖擊鋁靶產(chǎn)生等離子體對(duì)以上三種邏輯芯片的毀傷情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:
  (a)撞擊速度在大于2.52km/s的情況下均能產(chǎn)生等離子體,但是產(chǎn)生等離子體對(duì)三種邏輯芯片的干擾程度各不相同,在三種邏輯芯片中 CMOS邏輯芯片4075的抗干擾能力是最強(qiáng)的,CMOS邏輯芯片的抗干擾能力要強(qiáng)于TTL電平信號(hào)的邏輯芯片;
  (b)隨著撞擊速度的增高,等離子體的密度呈指數(shù)關(guān)系增加;
  (c)邏輯芯片的狀態(tài)改變時(shí)間要滯后于強(qiáng)沖擊產(chǎn)

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