脈沖激光燒蝕沉積納米Si晶?？臻g分布的電流信號研究.pdf

1、本工作利用了數(shù)字示波器對脈沖激光燒蝕過程進行監(jiān)測。在靶前1.5 cm處放置一中心帶孔的擋板以用來獲取沿靶前軸向運動的燒蝕產(chǎn)物,擋板后放置一電極板用來接收傳輸過來的燒蝕粒子,由于粒子帶電,產(chǎn)生的電流被電路中的示波器采集。通過分析不同背景氣體壓強下的電流信號,結(jié)果證實了電流信號的各個峰所代表的意義。結(jié)果顯示,極板與靶距離為2.5 cm時,極板上所接收的納米硅晶粒數(shù)目最多。在空間上隨著偏離靶軸向角度的增加,納米硅晶粒的數(shù)目越來越小。為了驗證電

2、流信號所得規(guī)律的正確性,設(shè)計了加入棒狀電極引入了一個散射電場對燒蝕過程影響的實驗。在距離靶前水平方向放置了半圓石英玻璃托,以用來放置襯底制備薄膜。利用X射線衍射儀、拉曼散射儀和掃描電子顯微鏡對薄膜進行了內(nèi)部結(jié)構(gòu)和形貌進行了表征。實驗結(jié)果表明在散射電場的影響下納米硅晶粒平均尺寸分布變寬。利用MATLAB對引入散射電場之后進行數(shù)值模擬分析,分析結(jié)果與實驗結(jié)果規(guī)律一致。本工作通過新的檢測手段對燒蝕過程進行檢測,并提出了一種新的實驗手段對其進行