背根節(jié)感覺神經元溫度敏感性的研究.pdf

1、本課題以大鼠急性離散的正常和受損DRG神經元為實驗對象，采用穿孔膜片鉗方法，給予不同溫度刺激，在電流鉗記錄下，研究單個中型DRG神經元(D=30-40μm)的興奮性和溫度敏感性。通過去極化方波刺激觀察到在某一個膜電位水平的細胞的興奮性和溫度敏感性；通過去極化斜波刺激觀察在連續(xù)變化的膜電位水平下細胞的興奮性變化。在電壓鉗記錄下，檢測神經元的全細胞電流。另外，初步分析了溫度敏感性神經元的相關離子通道機制。研究結果主要包括三部分：　　第一部

2、分：正常和損傷中型DRG神經元按反應特征分類分類依據：方波和斜波去極化刺激下，放電數目，放電形式和放電頻率；SMPO的表現；動作電位首先爆發(fā)的位置。方波超極化刺激下，有無反跳動作電位的發(fā)生。分別檢測131個正常細胞和93個損傷細胞，這些中型細胞直徑=30-40μm，根據其反應特征可分為3類：　　1.第1類神經元：方波去極化刺激下，細胞只在刺激的起始處爆發(fā)單個動作電位；細胞在方波和斜波去極化刺激下均無SMPO；在檢測中30/131個正常

3、中型細胞和16/93個損傷中型細胞屬于此類。 2.第2類神經元：在方波和斜波去極化刺激下，細胞放電數目多；放電為簇狀；具有較高的頻率；在一定范圍內隨著膜電位去極化水平增加，細胞的放電頻率也增加；在方波和斜波去極化刺激下，細胞出現簇狀、梭形的SMPO；方波超極化刺激下，細胞有反跳動作電位。74/131個正常中型細胞和62/93個損傷中型細胞屬于此類，其中損傷模型出現的比例明顯高于正常標本。 3.第3類神經元：在斜波去極化刺

4、激下，放電為一短簇，具有較高的頻率；方波去極化刺激下，在刺激的起始處首先爆發(fā)單個動作電位，放電局限于刺激起始段；該類細胞放電常伴有阻尼或一簇梭形的SMPO。方波超極化刺激下，細胞有反跳動作電位。27/131個正常中型細胞和15/93個損傷中型細胞屬于此類。 第二部分：DRG中型神經元對溫度變化的反應特征通過溫度控制系統(tǒng)，給予不同溫度刺激即在20℃，24℃，28℃，32℃，36℃五個溫度測量點上，在方波去極化刺激下，觀察放電數目、

5、放電頻率、放電位置、放電閾電位和SMPO的幅值、產生SMPO的膜電位水平的改變；觀察在斜波去極化刺激下，細胞放電數目和頻率的改變；并在斜波去極化刺激下，電壓鉗下全細胞電流的變化。結果如下：1.隨溫度升高放電數增加的溫度敏感性神經元(正向變化溫度敏感性神經元)：其動作電位數目隨溫度升高明顯增加，表現為溫度興奮性提高，降溫后興奮性又恢復，全細胞電流大小有變化。上述第2類細胞主要表現為正向變化溫度敏感性，而這類神經元在正常和損傷模型中所占比例

6、近似。另外，隨著溫度升高此類細胞的興奮性反應也完全不同，分別命名為周期節(jié)律放電型、非周期節(jié)律放電型和幅值衰減放電型。 2.隨溫度升高放電數減少的溫度敏感性神經元(負向變化溫度敏感性神經元)：其動作電位數目隨溫度升高明顯減少，表現為溫度興奮性降低，降溫后興奮性又恢復，全細胞電流大小有較明顯的變化。第2類細胞中少部分神經元表現為負向變化溫度敏感性，此類神經元在損傷模型中占的比例較大。 3.溫度不敏感性神經元，無論升溫或降溫刺

7、激，該類細胞的反應性無明顯變化，全細胞電流無明顯變化。上述第1類和第3類細胞多表現為溫度不敏感。中型溫度不敏感性神經元在損傷模型中占的比例較小。 第三部分：溫度敏感性神經元的離子通道機制選擇20℃和32℃兩個溫度點上，主要觀察到Ih電流通道的阻斷劑以及辣椒素等對溫度敏感性神經元反應性的影響，初步分析了相關的離子通道機制和對辣椒素的反應特性。 主要研究結論： 1.據放電反應特征可將正?；驌p傷中型DRG神經元分為3種

8、類型。第1類細胞，無SMPO，放電少。第2類和第3類細胞都具有簇狀的SMPO，放電頻率穩(wěn)定，對刺激斜率敏感。 2.3類細胞在正常和損傷模型中所占比例有明顯的差異：第1類：30/131(22.9％)和16/93(17.2％)；第2類：74/131(56.5％)和62/93(66.7％)；第3類：27/131(20.6％)和15/93(16.1％)。 3.在20～36℃范圍內，正常或損傷中型DRG神經元對溫度變化的反應特征分